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本次暑期学校受国家自然科学基金委员会委托并资助，由北京大学宽禁带半 导体研究中心与国家半导体照明工程研发及产业联盟主办。
暑期学校时间为2008年7月31日至6日，地点设在中国滨海城市大连。特邀十 位美国和日本的知名教授、专家讲学和授课，此外，还将安排专题讨论会，为国 内学员提供面对面接触国外知名学者的机会。暑期学校已经纳入北京大学研究生 院暑期教学计划，对完成学习内容并通过考试的在读研究生或本科生，北京大学 研究生院提供学分和学习证明；对其他学员可以提供学习证明。
暑期学校的授课内容围绕宽禁带半导体材料、器件和物理，介绍相关的基本 原理、关键技术和最新研究成果。包括GaN基深紫外LED和探测器，GaN基高功率 LED和LD，GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)及应用，GaN基稀磁半导体和自旋电子 学，GaN基材料MOCVD生长技术，GaN基LED芯片和封装技术，GaN基LED照明应用技术，以及其它宽带隙半导体材料和器件。
授课计划
Fernando Ponce教授
Fernando Ponce教授是是美国亚利桑那州立大学物理系教授。斯坦福大学材料科学与工程博士学位。从1977年到1998年，他在施乐公司的Palo Alto Research Center工作，其间的1980年至1984年，他还在Hewlett-Packard Laboratories工作。1999年至今，他一直在亚利桑那州立大学物理系执教。Fernando Ponce教授致力于半导体材料特别是发光器件以及探测器的物理研究，涉及光电材料的生长、高分辨透射电子显微镜分析及应用。他发表了200多篇文章，参 与编撰了9本专著。此外，他积极投身于拉美地区的学术促进活动之中，如担任1999年秋季召开的MRS会议主席、2004年第27届 International Conference on the Physics of Semiconductors主席。同时，他还 是美国物理学会会士。他多年来一直保持与中国同行密切的学术交流。
Asif Khan教授
Asif Khan教授是美国南卡罗莱大学卡罗莱杰出教授，光子与微电子实验室主任，电子工程系主任。他的研究小组在GaN-AlGaN材料及电子器件上做出了开创 性的工作。 1997年南卡罗莱大学授予了他杰出教授一职。Asif Khan教授更一手筹建了南卡罗莱大学卡光子与微电子实验室。目前，他的研究重点是GaN-AlGaN基高功率微波晶体管和深紫外发光二极管。他有关 cutting-edge LED的研究得到了美国先进国防研究计划机构的认可，被日本应用物理协会评为2005年度最佳研究成果之一。Asif Khan教授是在2001年选为南卡罗莱大学电子工程系主任，在2003年又被授予罗莱杰出教授称号。他在2006年获得了the IEEE Fellow Award。目前，他发表了300多篇文章，编写了几本书的章节，演讲了150多次受邀报告，出席了200多次的学术会议。
Hongxing Jiang教授
Hongxing Jiang教授是美国堪萨斯州立大学的杰出教授。他于1980年代通过CUSPEA赴美留学，毕业后于1986年-1988年在美国密歇根州立大学担任助 理研究员。1988年之后，他先后在堪萨斯州立大学担任物理系助理教授、副教授、教授。1999年至今，他是堪萨斯先进半导体协作实验室主任。其间，作为 访问学者，Hongxing Jiang教授在Sandia国家实验室工作。他不但组织了7次国际会议和研讨会，而且曾50多次被国际学术会议邀请做报告。他是Applied Phys Lett., J. Appl. Phys., Phys. Rev. B, Phys. Rev. Lett., IEEE Trans. Electron. Devices等著名学术期刊的审稿人。此外，他还是浙江大学材料系以及西安交通大学物理系的客座教授。
Yong-Hang Zhang教授
Yong-Hang Zhang教授是美国亚利桑那州立大学电子工程系教授，亚利桑那州立大学亚利桑那纳米电子所纳米光子中心主任，亚利桑那州立大学半导体光学制冷中心主任。 他于1991年在德国马克思－普朗克固体所以及斯德哥尔摩大学获得博士学位。目前，他的研究重点是MBE生长同时关注化合物半导体量子结构及器件的光学性 质。此外，他还致力于半导体技术在光通讯、化学和生物探测器以及空间技术等方面的应用推广。在美国亚利桑那州立大学执教之前，他在1993年到1995年 在Hughes Research Laboratories做研究工作，之后在2001年到2003年期间担任Lytek Corporation的CEO、总裁和董事长。他发表了130多篇文章，受邀参与撰写一本专著，两次编辑国际会议文集，拥有4项美国专利以及应邀出席了 130多次国际性的学术会议。
Yasuhiko Arakawa教授
Yasuhiko Arakawa教授是日本东京大学材料科学与工程系教授。目前，他是东京大学先进科学与技术研究中心教授，东京大学工业科学所纳米电子研究中心主任，同时 也是NTT公司的研究教授。Yasuhiko Arakawa教授当前研究项目主要是半导体纳米光电子器件的生长、物理以及应用包括量子点激光器以及其他纳米结构器件。Yasuhiko Arakawa教授获得了很多荣誉，包括Niwa Memorial Award，Nissan Science Award，IBM Award，Hattori Hoko Award，日本电子情报通信学会颁发的Excellent Paper Award，Electronics Award，GaAs系列半导体化合物国际研讨会授予的Young Scientist Award，日本光产业技术振兴协会颁发的Sakura-Kenjiro Award。在2004年，他又被IEEE激光与电光学学会授予了William Streifer Scientific Achievement Award。此外，Yasuhiko Arakawa教授在许多杰出国际组织中担任重要职务。他现在日本光产业技术振兴协会负责光电技术路线图的制定。
Connie Chang-Hasnain教授
Connie Chang-Hasnain教授是美国加州大学伯克利分校电子工程与计算机科学系John R. Whinnery首席教授。目前，她是学校纳米光电导体技术中心主任同时担当了纳米科学与技术研究生组主席。Connie Chang-Hasnain教授获得由总统和国家颁发的奖励包括Presidential Faculty Fellow，Sloan Research Fellow 以及Outstanding Young Electrical Engineer of the Year。此外，她杰出的科研成果也给她带来了许多学术团体授予的荣誉称号。例如1994年由IEEE激光与电光学学会授予Distinguished Lecturer Award。2000年由美国工程教育学会授予的 Curtis W. McGraw Research Award。2005年获得美国国家工程院颁发的Gilbreth Lecturer Award from National Academy of Engineering。2007年又获得美国光学学会颁发的Nick Holonyak Jr Award。Chang-Hasnain教授还是IEEE、OSA 以及IEE会士。她在2005年还被选为俄罗斯A. F. Ioffe 所的荣誉成员。
Hiroshi Amano教授
Hiroshi Amano教授是日本名城大学材料科学与工程系教授。他分别于1983年、1985年和1989年在名古屋大学获得学士、硕士和博士学位。从1988年到 1998年，他在名古屋大学当研究助理、副教授。之后，他在名城大学担任副教授，并从2002年担任教授至今。他目前的研究重点是III族氮化物材料的生 长、表征及器件制作。Hiroshi Amano教授发表了250多篇文章，拥有74项专利。自1996年被IEEE激光与电光学学会授予Engineering Achievement Award (与Drs. Akasaki和Nakamura分享)以来，又于1998年获得Japanese Journal of Applied Physics Award for the best review paper (与Dr. Akasaki分享)以及British Rank Prize (与Drs. Akasaki和Nakamura分享)。继2001获得Marubun Academic Award之后，他又与Drs. Akasaki和Nakamura分享了2002年的the Takeda Award。
Cun-Zheng Ning教授
Cun-Zheng Ning教授是美国亚利桑那州立大学电子工程系教授。在1994年以前，他一直致力于物理化学的分子动力学研究，将微观物理模型引入半导体激光器以及半导 体光学的模拟中，包括理论、模型以及模拟，涉及非线性动力学和非稳态、量子光学、激光物理、耗尽系统中的几何相变以及随机共振。自1994年供职于亚利桑 那大学后，他于1997年加入美国航天局，先后任Ames Research Center的高级科学家，也是计算纳米技术项目带头人以及纳米技术中心纳米光子研究组组长。在2006年，亚利桑那州立大学电子工程系来到了亚利桑那州 立大学电子工程系工作。目前，他关注半导体纳米线激光器以及半导体纳米结构中的微带和微带跃迁。Cun-Zheng Ning教授继在1999年获得NASA Group Achievement Award 之后，又在2003年获得了The CSC Technical Excellence Award，在2000年获得The MRJ Award。此外，他还担任了许多学术组织职务
Fan Ren教授
Fan Ren教授是美国佛罗里达大学基础研究教授以及化学工程Charles A. Stokes教授。他本科于1975年毕业于台湾Fung Cha大学，在1978年获得台湾国立成功大学化学工程硕士学位之后，又于1991年在Brooklyn Polytechnic获得高分子科学与工程的硕士和博士学位。自1998开始，他在佛罗里达大学先后担任了材料科学与工程副教授和化学工程教授。在此之 前13年，他先后在Bell和AT&T等著名实验室工作，在GaAs系列的高迁移率晶体管、双极型异质结晶体管以及金属氧化物半导体场效应晶体管 积累了大量的工作经验。他目前的研究领域是宽禁带半导体探测器、三维半导体芯片集成、深紫外激光刻蚀以及InGaAs系列MSM探测器。Fan Ren教授发表了660多篇文章，主编了3本书以及16册会议文集，参与了11本书的章节撰写。此外，他还拥有30项美国和欧洲专利。他还是美国电化学学 会和真空学会会士。
Kentaro Onabe教授
Kentaro Onabe教授是日本东京大学先进材料科学系教授。他于1972年东京大学应用物理系毕业，1980年获得工程博士学位。自1977年开始在NEC集团中 央研究中心工作以后，他于1988年开始在东京大学应用物理系担任副教授，1995年提升为教授至今。Kentaro Onabe教授致力于半导体化合物中超结构的研究包括超晶格、量子结构以及合金材料的生长和微尺度的物性研究。他关注III-V-N合金的生长和量子机构 的表征，亚稳相氮化物合金可控生长以及氮化物晶格极化场在纳米光子机构上的应用。
