半导体材料与器件

Semiconductor Materials and Devices

http://www-ee.ccny.cuny.edu/www/web/crouse/EE339/EE339Syllabus.htm

2003秋季

时间：周二、周四（5:00-6:15 pm）

讲授：Prof. David Crouse

教材：

1. Advanced Semiconductor Fundamentals 2nd Edition, by Robert F. Pierret
2. The PN Junction Diode, by Gerold W. Neudeck
3. Introduction to Solid State Physics, by Charles Kittel
4. Solid State Electronic Devices, by Ben G. Streetman and Sanjay Banerjee

作业：6次

测验：平时（2），期末（1）

评分：作业（30%），平时测验（20%+20%），期末（30%）

周次

主题

参考


1 绪论：半导体与材料 Pierret Chap. 1

1-3 结晶态：晶体结构、对称性与缺陷；力学与电学性能；倒格子与X射线衍射 Pierret Chap. 1, Kittel Chap. 1, Kittel Chap. 2

4-5 量子力学导论：玻尔原子、波粒二象性、薛定谔方程、算符、不确定原理、1维势垒问题 Pierret Chap. 2

测验1 晶体和量子力学

6-7 能带理论：布洛赫定理、布里渊区、Kronig-Penney模型、导流子、有效质量、能隙

8-9 导流子统计、态密度、费米函数、杂质、导流子浓度关系

10 Recombination-Generation

11 载流子输运、漂移、迁移率、电阻率、霍尔效应、扩散、爱因斯坦关系、流方程

测验2 Covering carrier statistics, r-g, and transport

12 P-N结导论：结构、制备、光刻、掺杂（扩散与灌入）

13-15 P-N Junction Equilibrium Electrostatics:Depletion region, Built-in potential

16 Ideal Diode Equations: Forward and reverse bias I-V characteristics

期末 Cumulative final covering all topics covered in course.

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